DRAM三強鼎立 中國搶進難度高

【范中興╱台北報導】今年DRAM受到需求不振持續供過於求影響，川普幕僚長滅火「非現階段檢討一中」，價格呈現顯著衰退，10款兒童後背包 讓背影成為眾人焦點，尤其以標準型記憶體最為明顯，生不如死的慢性折磨 顳顎關節障礙找上你了嗎？，市調機構DRAMeXchange調查，做3休4 這些餐廳很不認真賺錢?，在供應商生產仍保持紀律，王陽明釜山喇舌活章魚「黏住欸」驚呆陳庭妮，未有明顯新增產能，因此今年DRAM各廠仍維持全面獲利。至於明年市場仍維持小幅供過於求，單價持續下滑，獲利能力取決於製程轉進的成本下降。明年小幅供過於求2016年中國持續發展半導體的策略不變，仍將有許多購併發生，記憶體更是中國發展的重點項目之一。吳雅婷進一步表示，DRAM市場三強鼎立的狀態結構穩固，引進新的競爭者恐怕導致更嚴重的供過於求，因此三強與中國合作可能性低，使得中國欲進軍DRAM產業的困難度遠高過其他半導體類別。DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，2016年雖然受惠於來自智慧型手機及伺服器的需求影響，單機搭載容量會有顯著提升，各項終端產品仍難有爆發性的發展，預估DRAM需求成長約23%，供給位元成長約為25%，市場仍維持小幅供過於求，單價持續下滑。吳雅婷表示，各供應商在產能的擴張上皆有所節制，明年的位元產出主要是來自於SK海力士與美光20/21奈米的轉進，晶圓廠產能上，除三星Line17可能再微幅上升、SK海力士M14會陸續啟用外，DRAM總投片量與2015年呈現持平。隨著市場需求轉變及20奈米逐漸成熟，DDR4的生產比例越來越高，今年DDR4的導入主要在伺服器端，並且已經在第4季取代DDR3成為主流。DRAMeXchange預估，個人電腦新平台Skylake開始採用DDR4，將會在明年第2季起放量，成為主流解決方案。智慧型手機受惠於20奈米製程產出的LPDDR4普及度提高，蘋果以外的旗艦機以3GB╱4GB為標準規格。吳雅婷指出，明年第2季起就會有單機搭載容量6GB DRAM的機種問市，大幅增加行動式記憶體的需求動能。，