三星砸2111億 擴產NAND Flash

三星大力投資，不打房 柯P拼「人人租得到」，打造全球最大記憶晶片帝國。美聯社【劉煥彥、劉利貞╱綜合外電報導】全球記憶晶片龍頭南韓三星電子（SAMSUNG）未來3年規劃投資約70億美元（約2111億元台幣），狄格隆飆11K 紅雀連23上23下，擴大中國西安廠NAND Flash（儲存型快閃記憶體）產能，軟銀 砸5000億日圓買庫藏股，以因應中長期需求持續看漲；申報資料顯示，謝麗金1萬元爽遊頌莎島 裸泳解放47歲辣肉，三星周一已批准其中1筆23億美元初期投資支出。擴大中國西安廠三星在申報文件中表示：「這筆投資的目標是為了滿足NAND Flash產品在中長期持續成長的需求。」但三星不願透露西安廠產能可望因此提高多少。
三星7月初宣布將在南韓投資至少21.4兆韓元（約6216.7億元台幣），晨星最佳台灣基金獎 富蘭克林獨佔6項，用以擴增記憶晶片與新一代手機面板產能，當時已表示計劃增設西安廠產線，惟未決定投資金額。
關於21.4兆韓元用途規劃，包括在2021年前在南韓平澤市的新NAND廠投資14.4兆韓元（約4183億元台幣）。這代表三星未來5年共將砸下近6300億元台幣龐大金額，打造全球最大記憶晶片帝國，可望把海力士、東芝半導體與威騰電子等對手都拋在腦後。
市場研究機構IHS最新統計數據顯示，第2季三星全球NAND Flash市佔率高達38.3%。
NAND記憶晶片用於智慧手機、記憶卡、隨身碟到連網家電等幾乎所有電子裝置，且除了NAND，三星同時也是全球最大DRAM（動態隨機存取記憶體）製造商。
隨著記憶晶片需求水漲船高，三星第2季營業利益再創新高，三星已預期這股趨勢本季可望持續。
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