次世代記憶體 2年內大戰

世代交替【范中興╱台北報導】記憶體進入10奈米，私處遭網友惡搞　雞排妹氣炸：但我不會告你，製程已達物理極限，周思齊敲4安 中信開紅 平挑戰賽紀錄，國際大廠全力布局次世代記憶體，秋季好食機 食品股抗跌，目前主流最易達商業量產的3D V-NAND，伊林名模火辣內衣齊發　角色扮演迎新年，包括三星、SK海力士、東芝╱SanDisk均積極研發，且可小量生產。英特爾╱美光今年發表3D XPoint架構，革命性發展嚇壞眾家對手，未來1、2年後市場將爆發，記憶體另一波大戰已隱然成型。三星2013年搶先宣布投入3D V-NAND量產，官方資料指出，3D V-NAND相較傳統10奈米方案可提高至少2~10倍可靠度，寫入速度亦有2倍以上的理想表現。三星3D V-NAND技術能提升應用產品20%的效能表現，並減少40%的功率損耗。今年8月10日三星更宣布，第3代V-NAND已正式量產，以48層3-bit MLC堆疊的256Gb 3D V-NAND，這款產品密度是傳統128Gb的1倍，除了單顆晶粒就具備256 Gb的記憶體儲存容量。，